SIR476DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIR476DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1510 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SIR476DP Datasheet (PDF)
sir476dp.pdf
New ProductSiR476DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFETRoHS0.0017 at VGS = 10 V 60COMPLIANT 25 42.5 nC 100 % Rg Tested0.0021 at VGS = 4.5 V 60 100 % Avalanche TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 VRM, POL, Server High C
sir474dp.pdf
SiR474DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0095 at VGS = 10 V 20 Low Thermal Resistance PowerPAK 30 8 nC0.012 at VGS = 4.5 V 20Package with Low 1.07 mm Profile Optimized for High-Side Synchronous RectifierPowerPAK SO-8Operation
sir472adp.pdf
SiR472ADPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a, g Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.0090 at VGS = 10 V 1830 9 nC Optimized for high-side switching in 0.0115 at VGS = 4.5 V 18synchronous buck convertersPowerPAK SO-8 Single Material categorizat
sir470dp.pdf
New ProductSiR470DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFETRoHS0.0023 at VGS = 10 V 60COMPLIANT 40 45.5 nC 100 % Rg Tested0.00265 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Secondary Side Synchronous Rectifi
sir472dp.pdf
SiR472DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.012 at VGS = 10 V 20 Low Thermal Resistance PowerPAK COMPLIANT30 6.8 nC0.015 at VGS = 4.5 V 20Package with Low 1.07 mm Profile Optimized for High-Side Synchronous RectifierPowerPAK SO-
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918