SIR492DP Todos los transistores

 

SIR492DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIR492DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SIR492DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  vishay
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SIR492DP

New ProductSiR492DPVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0038 at VGS = 4.5 V 40COMPLIANT 12 41 nC Low Thermal Resistance PowerPAK 0.0047 at VGS = 2.5 V 40Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg TestedAPPLICATIONS

 9.1. Size:309K  vishay
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SIR492DP

SiR496DPVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0045 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET20 13.2 nC0.0058 at VGS = 4.5 V 35g 100 % Rg Tested 100 % Avalanche TestedPowerPAK SO-8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/

 9.2. Size:508K  vishay
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SIR492DP

New ProductSiR494DPVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0012 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Gen III Power MOSFET12 50 nC0.0017 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPower

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History: 2SK2445 | GP1T080A120B

 

 
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