SIR496DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIR496DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 555 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIR496DP

SIR496DP Datasheet (PDF)

..1. Size:309K vishay
sir496dp.pdf

SiR496DPVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0045 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET20 13.2 nC0.0058 at VGS = 4.5 V 35g 100 % Rg Tested 100 % Avalanche TestedPowerPAK SO-8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/

9.1. Size:308K vishay
sir492dp.pdf

New ProductSiR492DPVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0038 at VGS = 4.5 V 40COMPLIANT 12 41 nC Low Thermal Resistance PowerPAK 0.0047 at VGS = 2.5 V 40Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg TestedAPPLICATIONS

9.2. Size:508K vishay
sir494dp.pdf

New ProductSiR494DPVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0012 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Gen III Power MOSFET12 50 nC0.0017 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPower

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: