SIR640DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIR640DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3810 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
Encapsulados: SO-8
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SIR640DP datasheet
sir640dp.pdf
New Product SiR640DP Vishay Siliconix N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0017 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET 40 34.6 nC 0.0022 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8 Low Qg for High Efficiency Compli
sir640adp.pdf
SiR640ADP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) a Qg (TYP.) Low Qg for high efficiency 0.0020 at VGS = 10 V 100 40 28.5 nC 100 % Rg and UIS tested 0.0025 at VGS = 4.5 V 100 Material categorization PowerPAK SO-8 Single for definitions of compliance please se
sir642dp.pdf
New Product SiR642DP Vishay Siliconix N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) Low Qg for High Efficiency 0.0024 at VGS = 10 V 60 100 % Rg and UIS Tested 40 27.2 nC 0.0030 at VGS = 4.5 V 60 Material categorization For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912
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