SIR818DP Todos los transistores

 

SIR818DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIR818DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 710 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SIR818DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:479K  vishay
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SIR818DP

New ProductSiR818DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition TrenchFET Gen III Power MOSFET0.0028 at VGS = 10 V 50g30 30.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0033 at VGS = 4.5 V 50g Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

 9.1. Size:476K  vishay
 sir812dp.pdf pdf_icon

SIR818DP

New ProductSiR812DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.00145 at VGS = 10 V 6030 109 nC 100 % Rg and UIS Tested0.00165 at VGS = 4.5 V 60 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSPower

Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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