Справочник MOSFET. SIR818DP

 

SIR818DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIR818DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 5.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 32 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 63 nC
   Время нарастания (tr): 15 ns
   Выходная емкость (Cd): 710 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SIR818DP

 

 

SIR818DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:479K  vishay
 sir818dp.pdf

SIR818DP SIR818DP

New ProductSiR818DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition TrenchFET Gen III Power MOSFET0.0028 at VGS = 10 V 50g30 30.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0033 at VGS = 4.5 V 50g Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

 9.1. Size:476K  vishay
 sir812dp.pdf

SIR818DP SIR818DP

New ProductSiR812DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.00145 at VGS = 10 V 6030 109 nC 100 % Rg and UIS Tested0.00165 at VGS = 4.5 V 60 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSPower

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP450 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top