SIR818DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIR818DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SIR818DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR818DP даташит

 ..1. Size:479K  vishay
 sir818dp.pdf pdf_icon

SIR818DP

New Product SiR818DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition TrenchFET Gen III Power MOSFET 0.0028 at VGS = 10 V 50g 30 30.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0033 at VGS = 4.5 V 50g Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

 9.1. Size:476K  vishay
 sir812dp.pdf pdf_icon

SIR818DP

New Product SiR812DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.00145 at VGS = 10 V 60 30 109 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.00165 at VGS = 4.5 V 60 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Power

Другие IGBT... SIR774DP, SIR788DP, SIR798DP, SIR800DP, SIR802DP, SIR804DP, SIR808DP, SIR812DP, 4N60, SIR820DP, SIR826ADP, SIR826DP, SIR836DP, SIR838DP, SIR844DP, SIR846ADP, SIR846DP