SIR820DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIR820DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 447 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SIR820DP datasheet

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SIR820DP

New Product SiR820DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.0030 at VGS = 10 V 40g 30 28.6 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0038 at VGS = 4.5 V 40g Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS PowerPAK SO-8

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SIR820DP

New Product SiR826ADP Vishay Siliconix N-Channel 80 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0055 at VGS = 10 V Material categorization 60 For definitions of compliance please see 0.0059 at VGS = 7.5 V 80 60 25 nC www.vishay.com/doc?99912 0.0087 at VGS = 4.5 V 60 AP

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SIR820DP

New Product SiR826DP Vishay Siliconix N-Channel 80 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0048 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET 0.0052 at VGS = 7.5 V 80 60 27.9 nC 100 % Rg Tested 0.0065 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Dire

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