SIR820DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIR820DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 63 nC
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 447 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SIR820DP Datasheet (PDF)
sir820dp.pdf
New ProductSiR820DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.0030 at VGS = 10 V 40g30 28.6 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0038 at VGS = 4.5 V 40g Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSPowerPAK SO-8
sir826adp.pdf
New ProductSiR826ADPVishay SiliconixN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0055 at VGS = 10 V Material categorization:60For definitions of compliance please see0.0059 at VGS = 7.5 V 80 60 25 nCwww.vishay.com/doc?999120.0087 at VGS = 4.5 V 60AP
sir826dp.pdf
New ProductSiR826DPVishay SiliconixN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0048 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET0.0052 at VGS = 7.5 V 80 60 27.9 nC 100 % Rg Tested0.0065 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Dire
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918