SIR844DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIR844DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIR844DP
SIR844DP Datasheet (PDF)
sir844dp.pdf
New ProductSiR844DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0028 at VGS = 10 V 50a, g TrenchFET Power MOSFET25 29.5 nC0.0038 at VGS = 4.5 V New MOSFET Technology Optimized for 50a, gRinging Reduction in Switching ApplicationsPowerPAK
sir846adp.pdf
SiR846ADPVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0078 at VGS = 10 V 60 Material categorization:0.0085 at VGS = 7.5 V For definitions of compliance please see100 60 26.7 nCwww.vishay.com/doc?999120.0095 at VGS = 6 V 60APPLICATIONS
sir846dp.pdf
New ProductSiR846DPVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition 0.0078 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET100 35.7 nC0.0085 at VGS = 7.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: JCS33N25CT
History: JCS33N25CT
Liste
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