SIR864DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIR864DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 43 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIR864DP
SIR864DP Datasheet (PDF)
sir864dp.pdf
New ProductSiR864DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0036 at VGS = 10 V 40g TrenchFET Power MOSFET30 20 nC0.0045 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECA
sir866dp.pdf
SiR866DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFETRoHS0.0019 at VGS = 10 V 60g Low RDS(on)COMPLIANT 20 35.3 nC0.00255 at VGS = 4.5 V PWM (Qgd and Rg) Optimized60g 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS
sir862dp.pdf
New ProductSiR862DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.0028 at VGS = 10 V 5025 28.4 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0035 at VGS = 4.5 V 50 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8 APPLICAT
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Liste
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