SIR888DP Todos los transistores

 

SIR888DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIR888DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 78 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 655 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00325 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SIR888DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:507K  vishay
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SIR888DP

New ProductSiR888DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.00325 at VGS = 10 V 40g 100 % Rg TestedCOMPLIANT 25 35.5 nC0.0040 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Avalanche TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Low-Side Switch in Synchronous Buck

 9.1. Size:184K  vishay
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SIR888DP

New ProductSiR882DPVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0087 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested0.0094 at VGS = 7.5 V 100 60 18.3 nC 100 % UIS Tested0.0115 at VGS = 4.5 V 60 Compliant to RoHS Di

 9.2. Size:506K  vishay
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SIR888DP

New ProductSiR882ADPVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0087 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET600.0094 at VGS = 7.5 V 100 % Rg and UIS Tested100 60 19.5 nC0.0115 at VGS = 4.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC60

 9.3. Size:499K  vishay
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SIR888DP

New ProductSiR880DPVishay SiliconixN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0059 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET0.0067 at VGS = 7.5 V 80 60 23 nC 100 % Rg Tested0.0085 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Direct

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History: STB75NF75T4 | HRP85N08K | SSFM2506 | NP160N04TUK

 

 
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