SIRA00DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIRA00DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIRA00DP

SIRA00DP Datasheet (PDF)

..1. Size:172K vishay
sira00dp.pdf

SiRA00DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00100 at VGS = 10 V Material categorization:10030 66 nCFor definitions of compliance please see0.00135 at VGS = 4.5 V 100www.vishay.com/doc?99912PowerPAK SO-8APPLICATIO

9.1. Size:180K vishay
sira01dp.pdf

SiRA01DPwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFETD 8 Very low Qgd miller charge and Qgd/Qgs ratio

9.2. Size:159K vishay
sira02dp.pdf

New ProductSiRA02DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00200 at VGS = 10 V Material categorization:5030 34.3 nCFor definitions of compliance please see0.00270 at VGS = 4.5 V 50www.vishay.com/doc?99912APPLICATIONS

9.3. Size:508K vishay
sira04dp.pdf

New ProductSiRA04DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00215 at VGS = 10 V Material categorization:4030 22.5 nCFor definitions of compliance please see0.00310 at VGS = 4.5 V 40www.vishay.com/doc?99912APPLICATIONS

9.4. Size:187K vishay
sira06dp.pdf

New ProductSiRA06DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0025 at VGS = 10 V Material categorization:4030 22.5 nCFor definitions of compliance please see0.0035 at VGS = 4.5 V 40www.vishay.com/doc?99912APPLICATIONSPo

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IXTN102N65X2

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: