SIRA00DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIRA00DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3320 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SIRA00DP datasheet

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SiRA00DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.00100 at VGS = 10 V Material categorization 100 30 66 nC For definitions of compliance please see 0.00135 at VGS = 4.5 V 100 www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK SO-8 APPLICATIO

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SiRA01DP www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8 Single D TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET D 8 Very low Qgd miller charge and Qgd/Qgs ratio

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New Product SiRA02DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.00200 at VGS = 10 V Material categorization 50 30 34.3 nC For definitions of compliance please see 0.00270 at VGS = 4.5 V 50 www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS

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New Product SiRA04DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.00215 at VGS = 10 V Material categorization 40 30 22.5 nC For definitions of compliance please see 0.00310 at VGS = 4.5 V 40 www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS

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