Справочник MOSFET. SIRA00DP

 

SIRA00DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIRA00DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIRA00DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIRA00DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  vishay
 sira00dp.pdf pdf_icon

SIRA00DP

SiRA00DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00100 at VGS = 10 V Material categorization:10030 66 nCFor definitions of compliance please see0.00135 at VGS = 4.5 V 100www.vishay.com/doc?99912PowerPAK SO-8APPLICATIO

 9.1. Size:180K  vishay
 sira01dp.pdf pdf_icon

SIRA00DP

SiRA01DPwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFETD 8 Very low Qgd miller charge and Qgd/Qgs ratio

 9.2. Size:159K  vishay
 sira02dp.pdf pdf_icon

SIRA00DP

New ProductSiRA02DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00200 at VGS = 10 V Material categorization:5030 34.3 nCFor definitions of compliance please see0.00270 at VGS = 4.5 V 50www.vishay.com/doc?99912APPLICATIONS

 9.3. Size:508K  vishay
 sira04dp.pdf pdf_icon

SIRA00DP

New ProductSiRA04DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00215 at VGS = 10 V Material categorization:4030 22.5 nCFor definitions of compliance please see0.00310 at VGS = 4.5 V 40www.vishay.com/doc?99912APPLICATIONS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIR878DP , SIR880ADP , SIR880DP , SIR882ADP , SIR882DP , SIR888DP , SIR890DP , SIR892DP , 8N60 , SIRA02DP , SIRA04DP , SIRA06DP , SIRA10DP , SIRA12DP , SIRA14DP , SIRA18DP , APT1001R6BFLLG .

History: STH150N10F7-2 | WM02DN085C | SI7358ADP | NCE20PD05 | SFP035N95C3 | IRLI3705NPBF | IRLB3034

 

 
Back to Top

 


 
.