SIRA06DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIRA06DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1040 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
Encapsulados: SO-8
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SIRA06DP datasheet
sira06dp.pdf
New Product SiRA06DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0025 at VGS = 10 V Material categorization 40 30 22.5 nC For definitions of compliance please see 0.0035 at VGS = 4.5 V 40 www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS Po
sira00dp.pdf
SiRA00DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.00100 at VGS = 10 V Material categorization 100 30 66 nC For definitions of compliance please see 0.00135 at VGS = 4.5 V 100 www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK SO-8 APPLICATIO
sira01dp.pdf
SiRA01DP www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8 Single D TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET D 8 Very low Qgd miller charge and Qgd/Qgs ratio
sira02dp.pdf
New Product SiRA02DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.00200 at VGS = 10 V Material categorization 50 30 34.3 nC For definitions of compliance please see 0.00270 at VGS = 4.5 V 50 www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS
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