SIRA06DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIRA06DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 33.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 51 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 1040 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0025 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SIRA06DP Datasheet (PDF)
sira06dp.pdf
New ProductSiRA06DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0025 at VGS = 10 V Material categorization:4030 22.5 nCFor definitions of compliance please see0.0035 at VGS = 4.5 V 40www.vishay.com/doc?99912APPLICATIONSPo
sira00dp.pdf
SiRA00DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00100 at VGS = 10 V Material categorization:10030 66 nCFor definitions of compliance please see0.00135 at VGS = 4.5 V 100www.vishay.com/doc?99912PowerPAK SO-8APPLICATIO
sira01dp.pdf
SiRA01DPwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFETD 8 Very low Qgd miller charge and Qgd/Qgs ratio
sira02dp.pdf
New ProductSiRA02DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00200 at VGS = 10 V Material categorization:5030 34.3 nCFor definitions of compliance please see0.00270 at VGS = 4.5 V 50www.vishay.com/doc?99912APPLICATIONS
sira04dp.pdf
New ProductSiRA04DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00215 at VGS = 10 V Material categorization:4030 22.5 nCFor definitions of compliance please see0.00310 at VGS = 4.5 V 40www.vishay.com/doc?99912APPLICATIONS
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
