SIRA18DP Todos los transistores

 

SIRA18DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIRA18DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 287 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SIRA18DP Datasheet (PDF)

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SIRA18DP

New ProductSiRA18DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0075 at VGS = 10 V Material categorization:3330 6.9 nCFor definitions of compliance please see0.0120 at VGS = 4.5 V 20.3www.vishay.com/doc?99912PowerPAK SO-8APP

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SiRA18ADPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.0087 at VGS = 10 V 30.630 6.9 nC Material categorization:0.0135 at VGS = 4.5 V 24.5for definitions of compliance please see PowerPAK SO-8 Singlewww.vishay.com/do

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SiRA14BDPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 100 % Rg and UIS testedD 65 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?9991212 SDAPPLICATIONS3 S4 S1 High power density DC/DCGTop View Bottom View Syn

 9.2. Size:507K  vishay
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SIRA18DP

New ProductSiRA14DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00510 at VGS = 10 V Material categorization:2030 9.4 nCFor definitions of compliance please see0.00850 at VGS = 4.5 V 20www.vishay.com/doc?99912PowerPAK SO-8

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History: SIR888DP | SSFM2506 | HRP85N08K | NP160N04TUK | STB75NF75T4

 

 
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