Справочник MOSFET. SIRA18DP

 

SIRA18DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIRA18DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 287 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIRA18DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIRA18DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:507K  vishay
 sira18dp.pdf pdf_icon

SIRA18DP

New ProductSiRA18DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0075 at VGS = 10 V Material categorization:3330 6.9 nCFor definitions of compliance please see0.0120 at VGS = 4.5 V 20.3www.vishay.com/doc?99912PowerPAK SO-8APP

 8.1. Size:377K  vishay
 sira18adp.pdf pdf_icon

SIRA18DP

SiRA18ADPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.0087 at VGS = 10 V 30.630 6.9 nC Material categorization:0.0135 at VGS = 4.5 V 24.5for definitions of compliance please see PowerPAK SO-8 Singlewww.vishay.com/do

 9.1. Size:240K  vishay
 sira14bdp.pdf pdf_icon

SIRA18DP

SiRA14BDPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 100 % Rg and UIS testedD 65 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?9991212 SDAPPLICATIONS3 S4 S1 High power density DC/DCGTop View Bottom View Syn

 9.2. Size:507K  vishay
 sira14dp.pdf pdf_icon

SIRA18DP

New ProductSiRA14DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00510 at VGS = 10 V Material categorization:2030 9.4 nCFor definitions of compliance please see0.00850 at VGS = 4.5 V 20www.vishay.com/doc?99912PowerPAK SO-8

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIR892DP , SIRA00DP , SIRA02DP , SIRA04DP , SIRA06DP , SIRA10DP , SIRA12DP , SIRA14DP , AO3407 , APT1001R6BFLLG , APT1001R6SFLLG , APT1001RSVFR , APT1001RSVRG , APT10026L2FLLG , APT1002R4BNR , APT1002RBNR , APT10030L2VFRG .

History: BSC100N10NSFG | FDZ663P | GSM4210

 

 
Back to Top

 


 
.