APT1201R6BVFRG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APT1201R6BVFRG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 155 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 255 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APT1201R6BVFRG

APT1201R6BVFRG Datasheet (PDF)

..1. Size:114K apt
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1.1. Size:113K apt
apt1201r6bvfr.pdf

3.1. Size:62K apt
apt1201r6bvr.pdf

APT1201R6BVR1200V 8A 1.600POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower

5.1. Size:62K apt
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Liste

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