APT23F60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APT23F60S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 415 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 110 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 405 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: D3PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APT23F60S

APT23F60S Datasheet (PDF)

..1. Size:212K microsemi
apt23f60b apt23f60s.pdf

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6.1. Size:376K inchange semiconductor
apt23f60b.pdf

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Liste

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