APT23F60S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT23F60S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 415 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 405 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm

Тип корпуса: D3PAK

Аналог (замена) для APT23F60S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT23F60S даташит

 ..1. Size:212K  microsemi
 apt23f60b apt23f60s.pdf pdf_icon

APT23F60S

APT23F60B APT23F60S 600V, 24A, 0.29 Max, trr 220ns N-Channel FREDFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. D3PAK This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Lo

 6.1. Size:376K  inchange semiconductor
 apt23f60b.pdf pdf_icon

APT23F60S

isc N-Channel MOSFET Transistor APT23F60B FEATURES Drain Current I = 24A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.29 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Другие IGBT... APT22F100J, APT22F120B2, APT22F120L, APT22F80B, APT22F80S, APT22M100JCU2, APT22M100JCU3, APT23F60B, AON7410, APT24F50B, APT24F50S, APT24M120B2, APT24M120L, APT24M80B, APT24M80S, APT25M100J, APT26F120B2