APT29F80J Todos los transistores

 

APT29F80J MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APT29F80J
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 543 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 927 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-227
 

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APT29F80J Datasheet (PDF)

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APT29F80J

APT29F80J 800V, 29A, 0.21 Max, trr 370nsN-Channel FREDFET POWER MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate "UL Recogni

 8.1. Size:212K  microsemi
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APT29F80J

APT29F100B2 APT29F100L 1000V, 30A, 0.44 Max, trr 270nsN-Channel FREDFET T-Ma xTMTO-264Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt

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History: AP50WN520P | 24NM60G-TF3-T

 

 
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