Справочник MOSFET. APT29F80J

 

APT29F80J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT29F80J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 543 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 927 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: SOT-227
 

 Аналог (замена) для APT29F80J

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT29F80J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  microsemi
 apt29f80j.pdf pdf_icon

APT29F80J

APT29F80J 800V, 29A, 0.21 Max, trr 370nsN-Channel FREDFET POWER MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate "UL Recogni

 8.1. Size:212K  microsemi
 apt29f100b2 apt29f100l.pdf pdf_icon

APT29F80J

APT29F100B2 APT29F100L 1000V, 30A, 0.44 Max, trr 270nsN-Channel FREDFET T-Ma xTMTO-264Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt

Другие MOSFET... APT26M100JCU2 , APT26M100JCU3 , APT28F60B , APT28F60S , APT28M120B2 , APT28M120L , APT29F100B2 , APT29F100L , 5N65 , APT30F50B , APT30F50S , APT30F60J , APT30M17JFLL , APT30M30B2FLLG , APT30M30B2LLG , APT30M30JFLL , APT30M30LFLL .

History: BSC100N03LSG | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | P1003BDF | CS10N65FA9HD | IRF6709S2 | HGS650N15SL

 

 
Back to Top

 


 
.