APT48M80L Todos los transistores

 

APT48M80L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APT48M80L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1135 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 930 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO-264

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APT48M80L datasheet

 ..1. Size:198K  microsemi
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APT48M80L

APT48M80B2 APT48M80L 800V, 49A, 0.19 Max N-Channel MOSFET T-Max Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. TO-264 A proprietary planar strip design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci- tance. The intrinsic gate resistance and capacit

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History: 2SK1638

 

 

 

 

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