RFD10P03LSM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RFD10P03LSM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252AA
Búsqueda de reemplazo de RFD10P03LSM MOSFET
RFD10P03LSM Datasheet (PDF)
rfd10p03l-sm rfp10p03l.pdf

RFD10P03L, RFD10P03LSM,S E M I C O N D U C T O RRFP10P03L10A, 30V, 0.200, Logic LevelP-Channel Power MOSFETMay 1997Features Description 10A, 30V These products are P-Channel power MOSFETs manufac-tured using the MegaFET process. This process, which uses rDS(ON) = 0.200feature sizes approaching those of LSI circuits, gives opti-mum utilization of silicon, result
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History: WMS13N03T1 | 2SK1183 | FQA17N40 | STH110N10F7-2 | WSD2012DN25 | NCE40H20A
History: WMS13N03T1 | 2SK1183 | FQA17N40 | STH110N10F7-2 | WSD2012DN25 | NCE40H20A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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