RFD10P03LSM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RFD10P03LSM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: TO252AA

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RFD10P03LSM datasheet

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RFD10P03LSM

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