RFD10P03LSM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFD10P03LSM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO252AA

Аналог (замена) для RFD10P03LSM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFD10P03LSM даташит

 5.1. Size:178K  harris semi
 rfd10p03l-sm rfp10p03l.pdf pdf_icon

RFD10P03LSM

RFD10P03L, RFD10P03LSM, S E M I C O N D U C T O R RFP10P03L 10A, 30V, 0.200 , Logic Level P-Channel Power MOSFET May 1997 Features Description 10A, 30V These products are P-Channel power MOSFETs manufac- tured using the MegaFET process. This process, which uses rDS(ON) = 0.200 feature sizes approaching those of LSI circuits, gives opti- mum utilization of silicon, result

Другие IGBT... RF1S70N03SM, RF1S70N06SM, RF1S9530SM, RF1S9540SM, RF1S9630SM, RF1S9640SM, RFB18N10CS, RFD10P03L, IRFZ48N, RFD12N06RLE, RFD12N06RLESM, RFD14N05, RFD14N05L, RFD14N05LSM, RFD14N05SM, RFD14N06L, RFD14N06LSM