APT7M120B Todos los transistores

 

APT7M120B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APT7M120B
   Tipo de FET: MOFETS
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 335 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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APT7M120B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:115K  microsemi
 apt7m120b apt7m120s.pdf pdf_icon

APT7M120B

APT7M120B APT7M120S 1200V, 8A, 2.1 MaxN-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. D3PAKA proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of t

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History: KX7N10L | SI2303 | 2SK1750 | CEF13N5 | 2SK2855 | BUZ323 | 2SK1760

 

 
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