APT7M120B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APT7M120B 📄📄
Tipo de FET: MOFETS
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 335 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
Encapsulados: TO-247
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APT7M120B datasheet
apt7m120b apt7m120s.pdf
APT7M120B APT7M120S 1200V, 8A, 2.1 Max N-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. D3PAK A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci- tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of t
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: HM5P55R | DH060N08D | JMH65R430AKQ | JMSH0401PTSQ | APT8043SFLLG | SRH03P098LMTR-G | APJ10N65P
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
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