APT7M120B - описание и поиск аналогов

 

APT7M120B - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: APT7M120B
   Тип транзистора: MOFETS
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 335 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для APT7M120B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT7M120B технические параметры

 ..1. Size:115K  microsemi
 apt7m120b apt7m120s.pdf pdf_icon

APT7M120B

APT7M120B APT7M120S 1200V, 8A, 2.1 Max N-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. D3PAK A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci- tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of t

Другие MOSFET... APT75M50L , APT77N60BC6 , APT77N60SC6 , APT7F100B , APT7F100S , APT7F120B , APT7F120S , APT7F80K , IRF640 , APT7M120S , APT8014L2FLLG , APT8018L2VFRG , APT8020B2FLLG , APT8020B2LLG , APT8020LFLLG , APT8020LLLG , APT8024B2FLLG .

History: IXFH80N20Q

 

 
Back to Top

 


 
.