APT7M120B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APT7M120B  📄📄 

Тип транзистора: MOFETS

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 335 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APT7M120B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT7M120B даташит

 ..1. Size:115K  microsemi
 apt7m120b apt7m120s.pdf pdf_icon

APT7M120B

APT7M120B APT7M120S 1200V, 8A, 2.1 Max N-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. D3PAK A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci- tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of t

Другие IGBT... APT75M50L, APT77N60BC6, APT77N60SC6, APT7F100B, APT7F100S, APT7F120B, APT7F120S, APT7F80K, IRFP460, APT7M120S, APT8014L2FLLG, APT8018L2VFRG, APT8020B2FLLG, APT8020B2LLG, APT8020LFLLG, APT8020LLLG, APT8024B2FLLG