APT7M120B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: APT7M120B
Тип транзистора: MOFETS
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 335 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для APT7M120B
APT7M120B Datasheet (PDF)
apt7m120b apt7m120s.pdf

APT7M120B APT7M120S 1200V, 8A, 2.1 MaxN-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. D3PAKA proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of t
Другие MOSFET... APT75M50L , APT77N60BC6 , APT77N60SC6 , APT7F100B , APT7F100S , APT7F120B , APT7F120S , APT7F80K , IRFP460 , APT7M120S , APT8014L2FLLG , APT8018L2VFRG , APT8020B2FLLG , APT8020B2LLG , APT8020LFLLG , APT8020LLLG , APT8024B2FLLG .
History: NCEA65NF036T4 | NCEAP016N60VD | PMV130ENEA | KX7N10L | GSM6506S | BUZ323 | 2SK1760
History: NCEA65NF036T4 | NCEAP016N60VD | PMV130ENEA | KX7N10L | GSM6506S | BUZ323 | 2SK1760



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor