APT8M100B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APT8M100B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de APT8M100B MOSFET
APT8M100B Datasheet (PDF)
apt8m100b apt8m100s.pdf

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apt8m80k.pdf

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History: TK13E25D | CET0215 | IXTQ75N10P | NP20N10YDF | 2SK277 | SPD08N50C3 | MCG30N03A
History: TK13E25D | CET0215 | IXTQ75N10P | NP20N10YDF | 2SK277 | SPD08N50C3 | MCG30N03A



Liste
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