APT8M100B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APT8M100B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 290 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1000 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
   Carga de la puerta (Qg): 60 nC
   Tiempo de subida (tr): 7.8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 160 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APT8M100B

APT8M100B Datasheet (PDF)

..1. Size:212K microsemi
apt8m100b apt8m100s.pdf

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9.1. Size:117K microsemi
apt8m80k.pdf

APT8M80K 800V, 8A, 1.35 MAX, N-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon ga

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Liste

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