APT8M100B Todos los transistores

 

APT8M100B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APT8M100B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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APT8M100B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  microsemi
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APT8M100B

APT8M100B APT8M100S 1000V, 8A, 1.80 MaxN-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. D3PAKA proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of

 9.1. Size:117K  microsemi
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APT8M100B

APT8M80K 800V, 8A, 1.35 MAX, N-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon ga

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History: SPB16N50C3 | 2P7154VC

 

 
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