APT901R1HN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APT901R1HN 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
Encapsulados: TO-258
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APT901R1HN datasheet
Otros transistores... APT84F50L, APT84M50B2, APT84M50L, APT8M100B, APT8M100S, APT8M80K, APT901R1AN, APT901R1BN, 20N50, APT901R3AN, APT901R3BN, APT901R3HN, APT901RBN, APT902R4BN, APT902RBN, APT904R2AN, APT904R2BN
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: JMSH0401BGQ | 2SK795 | FDD7N20TM | P1604ETF | HM80N04 | NDB6050 | APT7F120B
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Liste
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