APT902R4BN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APT902R4BN  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 240 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm

Encapsulados: TO-247

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APT902R4BN datasheet

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APT902R4BN

 9.1. Size:333K  apt
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 9.2. Size:346K  apt
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APT1001R1HN PCB 24

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APT902R4BN

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