APT902R4BN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APT902R4BN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APT902R4BN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT902R4BN даташит

 ..1. Size:167K  apt
 apt902r4bn apt902rbn.pdf pdf_icon

APT902R4BN

 9.1. Size:333K  apt
 apt901r1an apt901r3an.pdf pdf_icon

APT902R4BN

APT1001R1AN PCB 24

 9.2. Size:346K  apt
 apt901r1hn apt901r3hn.pdf pdf_icon

APT902R4BN

APT1001R1HN PCB 24

 9.3. Size:214K  apt
 apt904r2an apt904ran.pdf pdf_icon

APT902R4BN

"APT1004R2AN" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "APT1004R2AN" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "APT1004R2AN" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "APT1004R2AN" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT8M80K, APT901R1AN, APT901R1BN, APT901R1HN, APT901R3AN, APT901R3BN, APT901R3HN, APT901RBN, 4435, APT902RBN, APT904R2AN, APT904R2BN, APT904RAN, APT904RBN, APT94N60L2C3G, APT94N65B2C3G, APT94N65B2C6