APT902R4BN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APT902R4BN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 240 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 66 nC
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 230 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.4 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для APT902R4BN
APT902R4BN Datasheet (PDF)
apt904r2an apt904ran.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
"APT1004R2AN"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "APT1004R2AN"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "APT1004R2AN"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "APT1004R2AN"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .