APT97N65B2C6 Todos los transistores

 

APT97N65B2C6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APT97N65B2C6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 862 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 97 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5045 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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APT97N65B2C6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  microsemi
 apt97n65b2c6 apt97n65lc6.pdf pdf_icon

APT97N65B2C6

APT97N65B2C6 APT97N65LC6 650V 97A 0.041APT97N65B2C6COOLMOSPower Semiconductors Super Junction MOSFET T-MaxTO-264 Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated APT97N65LC6 Extreme dv/dt RatedDGUnless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made with

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History: 2SK981A | HCP60R099 | DMP21D0UFB | WST2302 | 3N159 | SI4886DY | SM2327PSA

 

 
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