APT9F100S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APT9F100S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 337 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 219 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
Paquete / Cubierta: D3PAK
Búsqueda de reemplazo de APT9F100S MOSFET
APT9F100S PDF Specs
apt9f100b apt9f100s.pdf
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Liste
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