APT9F100S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APT9F100S 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 337 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 219 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
Encapsulados: D3PAK
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APT9F100S datasheet
apt9f100b apt9f100s.pdf
APT9F100B APT9F100S 1000V, 9A, 1.6 Max, trr 200ns N-Channel FREDFET POWER MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power D3PAK MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been opti- mized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low
Otros transistores... APT904RBN, APT94N60L2C3G, APT94N65B2C3G, APT94N65B2C6, APT94N65LC6, APT97N65B2C6, APT97N65LC6, APT9F100B, TK10A60D, APT9M100B, APT9M100S, APTC60AM18SCG, APTC60AM24SCTG, APTC60AM35SCTG, APTC60DAM18CTG, APTC60DAM24CT1G, APTC60DDAM45CT1G
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: IXFH36N55Q2 | 2SK795 | FDD7N20TM | P1604ETF | HM80N04 | NDB6050 | APT7F120B
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
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