Справочник MOSFET. APT9F100S

 

APT9F100S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APT9F100S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 337 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 80 nC
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 219 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: D3PAK

 Аналог (замена) для APT9F100S

 

 

APT9F100S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  microsemi
 apt9f100b apt9f100s.pdf

APT9F100S APT9F100S

APT9F100B APT9F100S 1000V, 9A, 1.6 Max, trr 200nsN-Channel FREDFET POWER MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power D3PAKMOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been opti-mized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top