ATP304 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ATP304
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 650 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1080 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: ATPAK
Búsqueda de reemplazo de ATP304 MOSFET
ATP304 Datasheet (PDF)
atp304.pdf

Ordering number : ENA2192 ATP304 P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com -60V, -100A, 6.5m, ATPAK Features On-resistance RDS(on)1=5.0m(typ.) 4.5V drive Input Capacitance Ciss=13000pF(typ.) Halogen Free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS -60 V Gate to S
atp301.pdf

ATP301Ordering number : ENA1457ASANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP301ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-
atp302.pdf

ATP302Ordering number : ENA1654ASANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP302ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=10m (typ.) Input capacitance Ciss=5400pF (typ.) 4.5V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrai
atp301.pdf

Ordering number : ENA1457AATP301P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 100V, 28A, 75m , ATPAKFeatures ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free complianceSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --100 VGate-t
Otros transistores... APTM100H45SCTG , APTM100UM65SCAVG , APTM120DA30CT1G , APTM120U10SCAVG , APTM50AM24SCG , APTM50AM38SCTG , APTM50DAM38CTG , APTM50HM75SCTG , 5N50 , ATP401 , 2N5670 , 2SK2255-01MR , 7N10L-AA3 , 7N10G-AA3 , 7N10L-TN3 , 7N10G-TN3 , AO4466L .
History: SVF10N65F | 2SK2433 | SMF14N65 | LNF12N60 | FDPC8013S
History: SVF10N65F | 2SK2433 | SMF14N65 | LNF12N60 | FDPC8013S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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