ATP304 Todos los transistores

 

ATP304 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ATP304

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 650 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1080 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: ATPAK

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ATP304 datasheet

 ..1. Size:378K  onsemi
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ATP304

Ordering number ENA2192 ATP304 P-Channel Power MOSFET http //onsemi.com -60V, -100A, 6.5m , ATPAK Features On-resistance RDS(on)1=5.0m (typ.) 4.5V drive Input Capacitance Ciss=13000pF(typ.) Halogen Free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain to Source Voltage VDSS -60 V Gate to S

 9.1. Size:460K  sanyo
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ATP304

ATP301 Ordering number ENA1457A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP301 Applications Features ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-

 9.2. Size:462K  sanyo
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ATP304

ATP302 Ordering number ENA1654A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP302 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=10m (typ.) Input capacitance Ciss=5400pF (typ.) 4.5V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drai

 9.3. Size:360K  onsemi
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ATP304

Ordering number ENA1457A ATP301 P-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 100V, 28A, 75m , ATPAK Features ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --100 V Gate-t

Otros transistores... APTM100H45SCTG , APTM100UM65SCAVG , APTM120DA30CT1G , APTM120U10SCAVG , APTM50AM24SCG , APTM50AM38SCTG , APTM50DAM38CTG , APTM50HM75SCTG , IRFP064N , ATP401 , 2N5670 , 2SK2255-01MR , 7N10L-AA3 , 7N10G-AA3 , 7N10L-TN3 , 7N10G-TN3 , AO4466L .

History: WM02DH08T

 

 

 

 

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