Справочник MOSFET. ATP304

 

ATP304 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ATP304
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 650 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1080 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: ATPAK
 

 Аналог (замена) для ATP304

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATP304 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:378K  onsemi
 atp304.pdf pdf_icon

ATP304

Ordering number : ENA2192 ATP304 P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com -60V, -100A, 6.5m, ATPAK Features On-resistance RDS(on)1=5.0m(typ.) 4.5V drive Input Capacitance Ciss=13000pF(typ.) Halogen Free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS -60 V Gate to S

 9.1. Size:460K  sanyo
 atp301.pdf pdf_icon

ATP304

ATP301Ordering number : ENA1457ASANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP301ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-

 9.2. Size:462K  sanyo
 atp302.pdf pdf_icon

ATP304

ATP302Ordering number : ENA1654ASANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP302ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=10m (typ.) Input capacitance Ciss=5400pF (typ.) 4.5V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrai

 9.3. Size:360K  onsemi
 atp301.pdf pdf_icon

ATP304

Ordering number : ENA1457AATP301P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 100V, 28A, 75m , ATPAKFeatures ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free complianceSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --100 VGate-t

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APTM100H45SCTG , APTM100UM65SCAVG , APTM120DA30CT1G , APTM120U10SCAVG , APTM50AM24SCG , APTM50AM38SCTG , APTM50DAM38CTG , APTM50HM75SCTG , 5N50 , ATP401 , 2N5670 , 2SK2255-01MR , 7N10L-AA3 , 7N10G-AA3 , 7N10L-TN3 , 7N10G-TN3 , AO4466L .

 

 
Back to Top

 


 
.