HY1506P Todos los transistores

 

HY1506P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY1506P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 666 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FB
     - Selección de transistores por parámetros

 

HY1506P Datasheet (PDF)

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HY1506P

HY1506C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 60V/48AD D D D D D D DRDS(ON)= 10.5m(typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 12.2m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8LApplications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application

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HY1506P

HY1506C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 60V/48AD D D D D D D DRDS(ON)= 10.5m(typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 12.2m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8LApplications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application

 8.3. Size:580K  hymexa
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HY1506P

HY1506P/I/BAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TC=25C Unless Otherwise Noted) VDSS Drain-Source Voltage 60 V VGSS Gate-Source Voltage 25 TJ Maximum Junction Temperature 175 C TSTG Storage Temperature Range -55 to 175 C IS Diode Continuous Forward Current TC=25C 55 A Mounted on Large Heat Sink IDM TC=25C 220** A Pulsed Drain C

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History: HRP85N08K | DI9400T | STF34N65M5 | BUK6E3R4-40C | 20N65NF | MTP12P06 | SML3520BN

 

 
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