HY1506P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY1506P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 666 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
Encapsulados: TO220FB
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HY1506P datasheet
hy1506c2.pdf
HY1506C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 60V/48A D D D D D D D D RDS(ON)= 10.5m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 12.2m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application
hy1506c2.pdf
HY1506C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 60V/48A D D D D D D D D RDS(ON)= 10.5m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 12.2m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application
hy1506.pdf
HY1506P/I/B Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TC=25 C Unless Otherwise Noted) VDSS Drain-Source Voltage 60 V VGSS Gate-Source Voltage 25 TJ Maximum Junction Temperature 175 C TSTG Storage Temperature Range -55 to 175 C IS Diode Continuous Forward Current TC=25 C 55 A Mounted on Large Heat Sink IDM TC=25 C 220** A Pulsed Drain C
Otros transistores... 7N10G-AA3 , 7N10L-TN3 , 7N10G-TN3 , AO4466L , AOD4144 , CS60N06C4 , EMB20P03V , FTW20N50A , IRF640 , HY1506I , HY1506B , JCS18N50WH , ME04N25 , ME04N25G , SiS412DN , RCD040N25TL , RCD041N25 .
History: SSI3N90A | HY1506B | AP85T03GJ-HF | EMB20P03V
History: SSI3N90A | HY1506B | AP85T03GJ-HF | EMB20P03V
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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