RCD041N25 Todos los transistores

 

RCD041N25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RCD041N25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm

Encapsulados: SC-63

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RCD041N25 datasheet

 ..1. Size:363K  rohm
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RCD041N25

RCD041N25 Nch 250V 4.0A Power MOSFET Data Sheet lOutline VDSS 250V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 1300mW (3) ID 4.0A (2) (1) PD 20W lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Drive circuits can be simple. (3) Source 4) Parallel use is easy. *1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 6) 100%

 9.1. Size:1073K  rohm
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RCD041N25

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCD040N25 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 (SC-63) 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 0.75 3) Wide range of SOA. 0.65 0.9 2.3 (1) (2) (3) 4) Drive circuits can be simple. 2.3 0.5 1.0 5) Parallel use is easy. Application Switching Packaging spe

 9.2. Size:1072K  rohm
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RCD041N25

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCD040N25 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 (SC-63) 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 0.75 3) Wide range of SOA. 0.65 0.9 2.3 (1) (2) (3) 4) Drive circuits can be simple. 2.3 0.5 1.0 5) Parallel use is easy. Application Switching Packaging spe

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History: SPA24N50G | NTJS4151P | AOD3N40 | SWT38N65K2 | IRF3305PBF | NVTFS5826NL | WM02P18F

 

 

 

 

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