RCJ080N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RCJ080N25
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-83
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RCJ080N25
RCJ080N25 Datasheet (PDF)
rcj080n25.pdf
RCJ080N25 Nch 250V 8.0A Power MOSFET DatasheetlOutline(2) VDSS250V LPT(S)(SC-83)RDS(on) (Max.)600mWID8.0A(1) PD35W (3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Drive circuits can be simple.(3) Source 4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche t
rcj081n20.pdf
RCJ081N20 Nch 200V 8.0A Power MOSFET DatasheetlOutline(2) VDSS200V LPT(S)(SC-83)RDS(on) (Max.)770mWID8.0A(1) PD40W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche
rcj081n20.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ081N20FEATURESDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.77(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo
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Liste
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