RCJ100N25 Todos los transistores

 

RCJ100N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RCJ100N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-83
 

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RCJ100N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  rohm
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RCJ100N25

RCJ100N25 Nch 250V 10A Power MOSFET DatasheetlOutline(2) VDSS250V LPT(S)(SC-83)RDS(on) (Max.)320mWID10A(1) PD40W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche te

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
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RCJ100N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ100N25FEATURESDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 320m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Otros transistores... RCD041N25 , RCD051N20 , RCD075N19 , RCD080N25TL , RCD100N19 , RCJ050N25 , RCJ080N25 , RCJ081N20 , AON7408 , RCJ120N20 , RCJ120N25 , RCJ160N20 , RCJ200N20 , RCJ220N25 , RCJ300N20 , RCJ510N25 , RCJ700N20 .

History: WPMD3002 | SFG10R08BF

 

 
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