RCJ160N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RCJ160N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Encapsulados: SC-83
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RCJ160N20 datasheet
rcj160n20.pdf
RCJ160N20 Nch 200V 16A Power MOSFET Datasheet lOutline (2) VDSS 200V LPT(S) (SC-83) RDS(on) (Max.) 180mW ID 16A (1) PD 40W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Drive circuits can be simple. (3) Source 4) Parallel use is easy. *1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 6) 100% Avalanche t
rcj160n20.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ160N20 FEATURES Drain Current I = 16A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 180m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp
Otros transistores... RCD080N25TL , RCD100N19 , RCJ050N25 , RCJ080N25 , RCJ081N20 , RCJ100N25 , RCJ120N20 , RCJ120N25 , AON7408 , RCJ200N20 , RCJ220N25 , RCJ300N20 , RCJ510N25 , RCJ700N20 , RCX051N25 , RCX081N20 , RCX100N25 .
History: SE150110G
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