RCJ200N20 Todos los transistores

 

RCJ200N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RCJ200N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: SC-83

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RCJ200N20 datasheet

 ..1. Size:440K  rohm
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RCJ200N20

RCJ200N20 Nch 200V 20A Power MOSFET Datasheet lOutline (2) VDSS 200V LPT(S) (SC-83) RDS(on) (Max.) 130mW ID 20A (1) PD 40W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. (1) Gate (2) Drain 3) Drive circuits can be simple. (3) Source 4) Parallel use is easy. *1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 6) 100% Avalanche

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
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RCJ200N20

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ200N20 FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 130m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Otros transistores... RCD100N19 , RCJ050N25 , RCJ080N25 , RCJ081N20 , RCJ100N25 , RCJ120N20 , RCJ120N25 , RCJ160N20 , 2SK3878 , RCJ220N25 , RCJ300N20 , RCJ510N25 , RCJ700N20 , RCX051N25 , RCX081N20 , RCX100N25 , RCX200N20 .

History: STF18N65M5

 

 

 

 

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