RCJ200N20 - описание и поиск аналогов

 

RCJ200N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RCJ200N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: SC-83

Аналог (замена) для RCJ200N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCJ200N20 даташит

 ..1. Size:440K  rohm
 rcj200n20.pdf pdf_icon

RCJ200N20

RCJ200N20 Nch 200V 20A Power MOSFET Datasheet lOutline (2) VDSS 200V LPT(S) (SC-83) RDS(on) (Max.) 130mW ID 20A (1) PD 40W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. (1) Gate (2) Drain 3) Drive circuits can be simple. (3) Source 4) Parallel use is easy. *1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 6) 100% Avalanche

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 rcj200n20.pdf pdf_icon

RCJ200N20

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ200N20 FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 130m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Другие MOSFET... RCD100N19 , RCJ050N25 , RCJ080N25 , RCJ081N20 , RCJ100N25 , RCJ120N20 , RCJ120N25 , RCJ160N20 , 2SK3878 , RCJ220N25 , RCJ300N20 , RCJ510N25 , RCJ700N20 , RCX051N25 , RCX081N20 , RCX100N25 , RCX200N20 .

History: WM02N25M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.