RCJ220N25 Todos los transistores

 

RCJ220N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RCJ220N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-83
 

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RCJ220N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:444K  rohm
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RCJ220N25

RCJ220N25 Nch 250V 22A Power MOSFET DatasheetlOutline(2) VDSS250VLPT(S)(SC-83)RDS(on) (Max.)140mWID22A(1) PD40W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 4) Parallel use is easy.5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche test

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
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RCJ220N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ220N25FEATURESDrain Current I = 22A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 140m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

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History: NP40N10YDF | SSF7N60B | WMR05N10TS | MTB340N11N6 | MTB50P03HDLT4G | SSF5510G | FDBL86363F085

 

 
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