RCJ220N25 Todos los transistores

 

RCJ220N25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RCJ220N25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: SC-83

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RCJ220N25 datasheet

 ..1. Size:444K  rohm
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RCJ220N25

RCJ220N25 Nch 250V 22A Power MOSFET Datasheet lOutline (2) VDSS 250V LPT(S) (SC-83) RDS(on) (Max.) 140mW ID 22A (1) PD 40W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 4) Parallel use is easy. 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 6) 100% Avalanche test

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
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RCJ220N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ220N25 FEATURES Drain Current I = 22A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 140m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

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History: QM3098M6 | SVT068R5NDTR | SMK830D

 

 

 

 

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