RCJ220N25 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RCJ220N25
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
trⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
Тип корпуса: SC-83
RCJ220N25 Datasheet (PDF)
rcj220n25.pdf
RCJ220N25 Nch 250V 22A Power MOSFET DatasheetlOutline(2) VDSS250VLPT(S)(SC-83)RDS(on) (Max.)140mWID22A(1) PD40W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 4) Parallel use is easy.5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche test
rcj220n25.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ220N25FEATURESDrain Current I = 22A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 140m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918