RCJ300N20 Todos los transistores

 

RCJ300N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RCJ300N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: SC-83

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RCJ300N20 datasheet

 ..1. Size:440K  rohm
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RCJ300N20

RCJ300N20 Nch 200V 30A Power MOSFET Datasheet lOutline (2) VDSS 200V LPT(S) (SC-83) RDS(on) (Max.) 80mW ID 30A (1) PD 40W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. (1) Gate (2) Drain 3) Drive circuits can be simple. (3) Source 4) Parallel use is easy. *1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 6) 100% Avalanche test

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
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RCJ300N20

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ300N20 FEATURES Drain Current I = 30A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 80m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

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History: 2SK1470

 

 

 

 

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