RCX051N25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RCX051N25
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.136 Ohm
Encapsulados: TO-220FM
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RCX051N25 datasheet
rcx051n25.pdf
RCX051N25 Nch 250V 5.0A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 250V TO-220FM RDS(on) (Max.) 1360mW ID 5.0A (3) PD 30W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. *1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 6) 100% Avalanche tested
rcx051n25.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor RCX051N25 FEATURES Drain Current I = 5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.36 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo
rcx050n25.pdf
Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCX050N25 Structure Dimensions (Unit mm) TO-220FM Silicon N-channel MOSFET 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Low on-resistance. 1.2 1.3 2) Low input capacitance. 3) High ESD. 0.8 2.54 2.54 0.75 2.6 (1) (2) (3) Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Bulk Type Code - 1 Basic ordering un
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