RDN120N25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RDN120N25
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 443 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
Encapsulados: TO-220FN
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RDN120N25 datasheet
rdn120n25.pdf
RDN120N25 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDN120N25 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel TO-220FN 10.0 4.5 3.2 2.8 MOS FET Features 1) Low on-resistance. 1.2 1.3 2) Low input capacitance. 3) Exellent resistance to damage from static electricity. 0.8 (1)Gate 2.54 2.54 0.75 2.6 (2)Drain (1) (2) (3) (3)Source Application Switching
Otros transistores... RCX700N20 , RDD020N60 , RDD022N50 , RDD022N60 , RDD023N50 , RDD050N20 , RDN050N20 , RDN100N20 , CS150N03A8 , RDN150N20 , RDR005N25 , R5005CNX , R5007FNX , R5009FNJ , R5011FNJ , R5016FNJ , R5021ANJ .
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