RDN120N25 Todos los transistores

 

RDN120N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RDN120N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 443 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FN
 

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RDN120N25 Datasheet (PDF)

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RDN120N25

RDN120N25 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDN120N25 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel TO-220FN10.0 4.53.2 2.8MOS FET Features 1) Low on-resistance. 1.21.32) Low input capacitance. 3) Exellent resistance to damage from static electricity. 0.8(1)Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2)Drain(1) (2) (3)(3)Source Application Switching

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History: IRF7313PBF-1 | IRLU2705PBF

 

 
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