RDN120N25 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RDN120N25
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 443 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
Тип корпуса: TO-220FN
Аналог (замена) для RDN120N25
RDN120N25 Datasheet (PDF)
rdn120n25.pdf

RDN120N25 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDN120N25 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel TO-220FN10.0 4.53.2 2.8MOS FET Features 1) Low on-resistance. 1.21.32) Low input capacitance. 3) Exellent resistance to damage from static electricity. 0.8(1)Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2)Drain(1) (2) (3)(3)Source Application Switching
Другие MOSFET... RCX700N20 , RDD020N60 , RDD022N50 , RDD022N60 , RDD023N50 , RDD050N20 , RDN050N20 , RDN100N20 , IRLB4132 , RDN150N20 , RDR005N25 , R5005CNX , R5007FNX , R5009FNJ , R5011FNJ , R5016FNJ , R5021ANJ .
History: SSG4940N | CS5N65FA9R | APM2303A | 2SK351 | R5007FNX | PDC3903X | R5009FNJ
History: SSG4940N | CS5N65FA9R | APM2303A | 2SK351 | R5007FNX | PDC3903X | R5009FNJ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646