R5007FNX MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: R5007FNX
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
Encapsulados: TO-220FM
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R5007FNX datasheet
r5007fnx.pdf
R5007FNX Datasheet Nch 500V 7A Power MOSFET lOutline l TO-220FM VDSS 500V RDS(on)(Max.) 1.3 ID 7A PD 40W lInner circuit l lFeatures l 1) Fast reverse recovery time (trr). 2) Low on-resistance. 3) Fast switching speed. 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed t
r5007anj.pdf
10V Drive Nch MOSFET R5007ANJ Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1) Low on-resistance. 1.24 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 2.54 0.4 0.78 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 2.7 5.08 (1) Base (Gate) (1) (2) (3) 5) Drive circuits can be simple. (2) Collector (Drain) 6)
r5007anx.pdf
10V Drive Nch MOSFET R5007ANX Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TO-220FM 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 1.2 3) Wide SOA (safe operating area). 1.3 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 5) Drive circuits can be simple. 0.8 6) Parallel use is easy. (1)Base 2.54 2.54 0.75 2.6
Otros transistores... RDD023N50 , RDD050N20 , RDN050N20 , RDN100N20 , RDN120N25 , RDN150N20 , RDR005N25 , R5005CNX , IRFP450 , R5009FNJ , R5011FNJ , R5016FNJ , R5021ANJ , R520 , R521 , R6002END , R6004END .
History: APT50M50L2FLLG | G30N04D3
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