R5007FNX Todos los transistores

 

R5007FNX MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R5007FNX

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm

Encapsulados: TO-220FM

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R5007FNX datasheet

 ..1. Size:3129K  rohm
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R5007FNX

R5007FNX Datasheet Nch 500V 7A Power MOSFET lOutline l TO-220FM VDSS 500V RDS(on)(Max.) 1.3 ID 7A PD 40W lInner circuit l lFeatures l 1) Fast reverse recovery time (trr). 2) Low on-resistance. 3) Fast switching speed. 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed t

 9.1. Size:267K  rohm
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R5007FNX

10V Drive Nch MOSFET R5007ANJ Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1) Low on-resistance. 1.24 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 2.54 0.4 0.78 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 2.7 5.08 (1) Base (Gate) (1) (2) (3) 5) Drive circuits can be simple. (2) Collector (Drain) 6)

 9.2. Size:280K  rohm
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R5007FNX

10V Drive Nch MOSFET R5007ANX Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TO-220FM 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 1.2 3) Wide SOA (safe operating area). 1.3 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 5) Drive circuits can be simple. 0.8 6) Parallel use is easy. (1)Base 2.54 2.54 0.75 2.6

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